STGB40H65FB

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STGB40H65FB概述

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650V, 40A high speed

IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Surface Mount D2PAK


立创商城:
STGB40H65FB


得捷:
IGBT BIPO 650V 40A D2PAK


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin D2PAK T/R


STGB40H65FB中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 283000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 283 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 283000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGB40H65FB
型号: STGB40H65FB
描述:Trench gate field-stop IGBT, HB series 650V, 40A high speed

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