SPA02N80C3XKSA1

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SPA02N80C3XKSA1概述

INFINEON  SPA02N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA02N80C3XKSA1, 2:00 AM, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 800V 2A TO220-FP


贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# INFINEON  SPA02N80C3XKSA1  Power MOSFET, N Channel, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 2A TO220-FP / N-Channel 800 V 2A Tc 30.5W Tc Through Hole PG-TO220-3-31


SPA02N80C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 2.00 A

针脚数 3

漏源极电阻 2.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 30.5 W

阈值电压 3 V

输入电容 290 pF

栅电荷 12.0 nC

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

上升时间 15 ns

正向电压Max 1.2 V

输入电容Ciss 290pF @100VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30.5 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 电源管理, Lighting, 工业, 替代能源, 照明, Consumer Electronics, 消费电子产品, Alternative Energy, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SPA02N80C3XKSA1
型号: SPA02N80C3XKSA1
描述:INFINEON  SPA02N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V

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