单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD07N60C3BTMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
艾睿:
SPD07N60C3BTMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R - Arrow.com
富昌:
SPD07N60C3 系列 650 V 0.6 Ohm N沟道 SIPMOS® 功率 晶体管 - PG-TO252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
极性 N-CH
耗散功率 83 W
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 7.3A
上升时间 3.5 ns
输入电容Ciss 790pF @25VVds
额定功率Max 83 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free