对比图
型号 STD6NM60N-1 STU7NM60N STU10NM60N
描述 N沟道600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STU7NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.84 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
漏源极电阻 - 0.84 Ω 0.53 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 45W (Tc) 45 W 70 W
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - - 10A
上升时间 - 10 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 420pF @50V(Vds) 363pF @50V(Vds) 540pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - 45 W 70 W
下降时间 - 12 ns 15 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 45W (Tc) 45W (Tc) 70W (Tc)
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源击穿电压 - 600 V -
长度 - 6.6 mm 6.6 mm
宽度 - 2.4 mm 2.4 mm
高度 - 6.9 mm 6.9 mm
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17