SI9433BDY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI9433BDY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds -20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids -6.20 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI9433BDY-T1-E3

型号： SI9433BDY-T1-E3

描述：VISHAY SI9433BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -4.5A, 8-SOIC

替代型号SI9433BDY-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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IRF7425TRPBF 国际整流器	功能相似	SI9433BDY-T1-E3和IRF7425TRPBF的区别