SIS890DN-T1-GE3概述
N 通道 MOSFET，中等电压/ThunderFET®，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for telecom brick, primary side switch and synchronous rectification applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Capable of operating with 5V gate drive
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SIS890DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0195 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 52 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 802pF @50VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 52 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
长度 3.4 mm
宽度 3.4 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK-1212-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Communications & Networking, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SIS890DN-T1-GE3
型号： SIS890DN-T1-GE3
描述：N 通道 MOSFET，中等电压/ThunderFET®，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor