SIS438DN-T1-GE3

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SIS438DN-T1-GE3概述

N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 14.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Allied Electronics:
SIS438DN-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 14.3 A, 20 V, 8-Pin PowePAK 1212


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 14.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


力源芯城:
20V,16A,N沟道功率MOSFET


SIS438DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3500 mW

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 880pF @10VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 27.7 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

长度 3.15 mm

宽度 3.15 mm

高度 1.12 mm

封装 1212

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIS438DN-T1-GE3
型号: SIS438DN-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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