SUP70040E-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 375 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 5100 pF
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.51 mm
宽度 4.65 mm
高度 15.49 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SUP70040E-GE3
型号： SUP70040E-GE3
描述：N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor