SIR640DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIR640DP-T1-GE3概述

VISHAY SIR640DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 1 V

The is a 40VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for secondary side synchronous rectification and DC-to-DC converter applications.

.: 100% Rg tested

.: 100% UIS tested

.: Low Qg for high efficiency

.: Halogen-free

.: -55 to 150°C Operating temperature range

SIR640DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0014 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 40 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR640DP-T1-GE3

型号： SIR640DP-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SIR640DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 1 V

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