对比图
型号 SPB07N60C3 STD8NM60N-1 R6007KNJTL
描述 Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能N沟道600 V ， 0.56 Ω ， 7一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK ， D2PAK N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKROHM R6007KNJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 5 V 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-251-3 TO-263-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 83 W 70 W 78 W
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 7.30 A 3.50 A 7A
上升时间 3.5 ns 12 ns 22 ns
输入电容(Ciss) 790pF @25V(Vds) 560pF @50V(Vds) 470pF @25V(Vds)
下降时间 7 ns 10 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 83W (Tc) 70W (Tc) 78W (Tc)
额定电压(DC) 650 V - -
额定电流 7.30 A - -
额定功率 83 W - -
通道数 1 - 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.54 Ω - 0.57 Ω
阈值电压 3 V - 5 V
额定功率(Max) 83 W - -
漏源击穿电压 - - 600 V
长度 10.31 mm 6.6 mm -
宽度 9.25 mm 2.4 mm -
高度 4.572 mm 6.2 mm -
封装 TO-263-3 TO-251-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17