STB14NK50Z-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB14NK50Z-1概述

N沟道500V - 0.34ohm - 14ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET

N-Channel 500V 14A Tc 150W Tc Through Hole I2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK

Win Source:
MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK

STB14NK50Z-1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150W Tc

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 2000pF @25VVds

额定功率Max 150 W

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB14NK50Z-1

型号： STB14NK50Z-1

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道500V - 0.34ohm - 14ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET

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