SPU30N03S2-08参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SPU30N03S2-08概述

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

通孔 N 通道 30A（Tc） 125W（Tc） P-TO251-3-1

得捷:
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK

SPU30N03S2-08中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 30.0 A

极性 N-CH

耗散功率 125W Tc

输入电容 2.17 nF

栅电荷 47.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

输入电容Ciss 2170pF @25VVds

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SPU30N03S2-08

型号： SPU30N03S2-08

制造商： Infineon 英飞凌

描述：的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor