SI1035X-T1-GE3

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SI1035X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 5 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 250 mW

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 180 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 SC-89

外形尺寸

封装 SC-89

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI1035X-T1-GE3
描述:互补N和P沟道20 - V(D -S)的MOSFET Complementary N- and P-Channel 20-V D-S MOSFET

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