漏源极电阻 0.015 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 25 V
上升时间 12 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
引脚数 8
封装 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
