对比图
型号 STI12N65M5 STU12N65M5 STU5N95K3
描述 STMICROELECTRONICS STI12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STU12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STU5N95K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-251-3 TO-251-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.39 Ω 0.39 Ω 3 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 70 W 90 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 950 V
连续漏极电流(Ids) 8.5A - -
输入电容(Ciss) 900pF @100V(Vds) 900pF @100V(Vds) 460pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 90W (Tc)
上升时间 - 17.6 ns 7 ns
额定功率(Max) - 70 W -
下降时间 - 23.4 ns 18 ns
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
漏源击穿电压 - - 950 V
封装 TO-262-3 TO-251-3 TO-251-3
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 2.4 mm
高度 - - 6.9 mm
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 - Silicon -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99