STMICROELECTRONICS STF15NM65N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics
立创商城:
N沟道 650V 12A
得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF15NM65N, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
贸泽:
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
力源芯城:
650V,0.35Ω,12A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.35 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 3 V
输入电容 983 pF
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 8.5 ns
输入电容Ciss 983pF @50VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 11.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Power Management, Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16