对比图
型号 STP18NM60N STP21N65M5 FCP16N60
描述 STMICROELECTRONICS STP18NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STP21N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 VSuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.26 Ω 0.15 Ω 260 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 125 W 167 W
阈值电压 3 V 4 V -
输入电容 1000 pF 1950 pF 1.73 nF
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 17A 16.0 A
上升时间 15 ns 10 ns 130 ns
输入电容(Ciss) 1000pF @50V(Vds) 1950pF @100V(Vds) 2250pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 125 W 167 W
下降时间 25 ns 12 ns 90 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 125W (Tc) 167 W
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 16.0 A
栅电荷 - - 55.0 nC
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.4 mm - 10.1 mm
宽度 4.6 mm - 4.7 mm
高度 15.75 mm - 9.4 mm
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR - -