STU6N65K3

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STU6N65K3概述

N沟道650 V, 1.1欧姆(典型值) , 5.4 SuperMESH3功率MOSFET采用TO- 220FP ,我PAKFP , IPAK N-channel 650 V, 1.1 ohm typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, IPAK

通孔 N 通道 5.4A(Tc) 110W(Tc) I-PAK


得捷:
MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin TO-251 Tube


力源芯城:
650V,1.1Ω,5.4A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSF N CH 650V 5.4A IPAK


STU6N65K3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 110W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 5.4A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 880pF @50VVds

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: STU6N65K3
描述:N沟道650 V, 1.1欧姆(典型值) , 5.4 SuperMESH3功率MOSFET采用TO- 220FP ,我PAKFP , IPAK N-channel 650 V, 1.1 ohm typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, IPAK

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