对比图
型号 STB23NM60N STB25NM60ND STD15NF10T4
描述 N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh? Power MOSFETN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
耗散功率 150W (Tc) 160 W 70 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 100 V
输入电容(Ciss) 2050pF @50V(Vds) 2400pF @50V(Vds) 870pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 150W (Tc) 160W (Tc) 70W (Tc)
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.13 Ω 0.065 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
阈值电压 - 4 V 3 V
连续漏极电流(Ids) - 21A 23.0 A
上升时间 - 30 ns 45 ns
额定功率(Max) - 160 W 70 W
下降时间 - 40 ns 17 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 23.0 A
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 100 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
长度 - 10.75 mm 6.6 mm
宽度 - 10.4 mm 6.2 mm
高度 - 4.6 mm 2.4 mm
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99