STI10NM60N概述
I2PAK N-CH 600V 10A
N-Channel 600V 10A Tc 70W Tc Through Hole I2PAK TO-262
得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
贸泽:
MOSFET N-CH 600V 0.53Ohm 10A Mdmesh II
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
STI10NM60N中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 70 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 540pF @50VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 70W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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