对比图
型号 STN1HNK60 STQ1HNK60R-AP BSP122,115
描述 STMICROELECTRONICS STN1HNK60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STQ1HNK60R-AP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 VNXP BSP122,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 200 V, 1.7 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-261-4 TO-92-3 TO-261-4
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 8 Ω 8 Ω 1.7 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.3 W 3 W 1.5 W
阈值电压 3 V 3 V 2 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 500 mA 500 mA 550 mA
上升时间 5 ns 5 ns -
输入电容(Ciss) 156pF @25V(Vds) 156pF @25V(Vds) 100pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.3 W 3 W 1.5 W
下降时间 25 ns 25 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.3W (Tc) 3W (Tc) 1.5W (Ta)
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 400 mA - -
通道数 1 - -
漏源击穿电压 600 V - -
长度 6.5 mm 4.95 mm 6.7 mm
宽度 3.5 mm 3.94 mm 3.7 mm
高度 1.8 mm 4.95 mm 1.7 mm
封装 TO-261-4 TO-92-3 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17