对比图
型号 STQ1HNK60R-AP TSM1N45CT STN1HNK60
描述 STMICROELECTRONICS STQ1HNK60R-AP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 VTAIWAN SEMICONDUCTOR TSM1N45CT 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.7 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STN1HNK60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Taiwan Semiconductor (台湾半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-261-4
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 8 Ω 3.7 Ω 8 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3 W 2 W 3.3 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 450 V 600 V
漏源击穿电压 - 450 V 600 V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
连续漏极电流(Ids) 500 mA - 500 mA
上升时间 5 ns - 5 ns
输入电容(Ciss) 156pF @25V(Vds) - 156pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3 W - 3.3 W
下降时间 25 ns - 25 ns
耗散功率(Max) 3W (Tc) - 3.3W (Tc)
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 400 mA
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-261-4
长度 4.95 mm - 6.5 mm
宽度 3.94 mm - 3.5 mm
高度 4.95 mm - 1.8 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
含铅标准 Lead Free - Lead Free