STMICROELECTRONICS STI12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V
N-Channel 650V 8.5A Tc 70W Tc Through Hole I2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK
e络盟:
# STMICROELECTRONICS STI12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A Automotive 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A Automotive 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.39 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 8.5A
输入电容Ciss 900pF @100VVds
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
封装 TO-262-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STI12N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STU12N65M5 意法半导体 | 完全替代 | STI12N65M5和STU12N65M5的区别 |
STI21N65M5 意法半导体 | 类似代替 | STI12N65M5和STI21N65M5的区别 |