SI4910DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4910DY-T1-GE3概述

Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8Pin SOIC N T/R

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 40V 7.6A 3.1W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC N T/R

DeviceMart:
MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC

SI4910DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.022 Ω

耗散功率 2 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 855pF @20VVds

额定功率Max 3.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2014/06/16

数据手册

在线购买SI4910DY-T1-GE3

型号： SI4910DY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8Pin SOIC N T/R

替代型号SI4910DY-T1-GE3