SI5513DC-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5513DC-T1-E3概述

MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 3.1A，2.1A 1.1W 表面贴装型 1206-8 ChipFET™

得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

贸泽:
MOSFET 20V 4.2/2.9A

DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8

SI5513DC-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 75 mΩ

耗散功率 1.1 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 20 V

热阻 90℃/W RθJA

额定功率Max 1.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1206

外形尺寸

长度 3.1 mm

高度 1.1 mm

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2014/06/16

数据手册

在线购买SI5513DC-T1-E3

型号： SI5513DC-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

替代型号SI5513DC-T1-E3