SI5519DU-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5519DU-T1-GE3概述

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual

得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETS

SI5519DU-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, P-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

输入电容Ciss 660pF @10VVds

额定功率Max 10.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerPAKR ChipFET? Dual

外形尺寸

封装 PowerPAKR ChipFET? Dual

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5519DU-T1-GE3

型号： SI5519DU-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

替代型号SI5519DU-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI5519DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI5517DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI5519DU-T1-GE3和SI5517DU-T1-GE3的区别

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