STL33N60DM2

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STL33N60DM2概述

600V,140mΩ,21A,N沟道功率MOSFET

N-Channel 600V 21A Tc 150W Tc Surface Mount PowerFlat™ 8x8 HV


得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV


立创商城:
N沟道 600V 21A


贸泽:
MOSFET N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 5-Pin Power Flat EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 5-Pin PowerFLAT 8x8 HV T/R


力源芯城:
600V,140mΩ,21A,N沟道功率MOSFET


STL33N60DM2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 5

漏源极电阻 0.115 Ω

极性 N-CH

耗散功率 150 W

阈值电压 4 V

输入电容 1870 pF

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 24A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 1870pF @100VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 PowerFLAT-8x8-HV-5

外形尺寸

封装 PowerFLAT-8x8-HV-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STL33N60DM2
型号: STL33N60DM2
描述:600V,140mΩ,21A,N沟道功率MOSFET

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