STF14N80K5中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 445 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 30 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 8 ns
正向电压Max 1.5 V
输入电容Ciss 620pF @100VVds
下降时间 10 ns
下降时间Max 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 30000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买STF14N80K5
型号： STF14N80K5
描述：STF14N80K5 系列 800 V 12 A MDmesh™ K5 功率 MOSFET - TO-220FP-3