SUP36N20-54P-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUP36N20-54P-E3概述

Trans MOSFET N-CH 200V 36A 3Pin3+Tab TO-220AB

N-Channel 200V 36A Tc 3.12W Ta, 166W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB

SUP36N20-54P-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 3.12W Ta, 166W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 36.0 A

输入电容Ciss 3100pF @25VVds

耗散功率Max 3.12W Ta, 166W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUP36N20-54P-E3

型号： SUP36N20-54P-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Trans MOSFET N-CH 200V 36A 3Pin3+Tab TO-220AB