SQD35N05-26L-GE3

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SQD35N05-26L-GE3概述

MOSFET N-CH 55V 30A TO252

表面贴装型 N 通道 30A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)


得捷:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252


SQD35N05-26L-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 50W Tc

漏源极电压Vds 55 V

输入电容Ciss 1175pF @25VVds

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQD35N05-26L-GE3
型号: SQD35N05-26L-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 55V 30A TO252
替代型号SQD35N05-26L-GE3
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