SI7452DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7452DP-T1-GE3概述

MOSFET 60V 19.3A 5.4W 8.3mohm @ 10V

N-Channel 60V 11.5A Ta 1.9W Ta Surface Mount PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8

贸泽:
MOSFET 60V 19.3A 5.4W 8.3mohm @ 10V

SI7452DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.9W Ta

漏源极电压Vds 60 V

耗散功率Max 1.9W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7452DP-T1-GE3

型号： SI7452DP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 60V 19.3A 5.4W 8.3mohm @ 10V

替代型号SI7452DP-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI7452DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI7478DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	完全替代	SI7452DP-T1-GE3和SI7478DP-T1-GE3的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI7452DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

当前型号

SI7478DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

完全替代