SI5461EDC-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI5461EDC-T1-GE3概述

MOSFET 20V 6.2A 2.5W 45mohm @ 4.5V

表面贴装型 P 通道 4.5A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET™

得捷:
MOSFET P-CH 20V 4.5A 1206-8

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI5457DC-T1-GE3

SI5461EDC-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.3W Ta

漏源极电压Vds 20 V

耗散功率Max 1.3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

高度 1.1 mm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5461EDC-T1-GE3

型号： SI5461EDC-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 6.2A 2.5W 45mohm @ 4.5V

替代型号SI5461EDC-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI5461EDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
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