SUD23N06-31-T4-GE3

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SUD23N06-31-T4-GE3概述

MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252

表面贴装型 N 通道 21.4A(Tc) 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252,(D-Pak)


得捷:
MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252


贸泽:
MOSFET N-Channel 60-V D-S


SUD23N06-31-T4-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 5.7W Ta, 31.25W Tc

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 670pF @25VVds

耗散功率Max 5.7W Ta, 31.25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUD23N06-31-T4-GE3
型号: SUD23N06-31-T4-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252

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