SQJ418EP-T1_GE3

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SQJ418EP-T1_GE3概述

N-CH 100V

MOSFET N-CH 100V 48A SO8


立创商城:
SQJ418EP-T1_GE3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 48A Automotive 5-Pin4+Tab PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 48A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 48A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP T/R


SQJ418EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 68 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 1276pF @25VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 68000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQJ418EP-T1_GE3
型号: SQJ418EP-T1_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:N-CH 100V

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