SIA918EDJ-T1-GE3

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SIA918EDJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.9 W

上升时间 30 ns

下降时间 41 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1900 mW

封装参数

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SIA918EDJ-T1-GE3
型号: SIA918EDJ-T1-GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 6Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

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