SI4825DY-T1

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SI4825DY-T1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.5 W

上升时间 13 ns

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4825DY-T1
型号: SI4825DY-T1
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET 30V 11.5A 3W
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