SI3460DV-T1-GE3

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SI3460DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.027 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.1 W

阈值电压 450 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 6.80 A

上升时间 30 ns

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI3460DV-T1-GE3
描述:Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6Pin TSOP T/R

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