SI4816DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4816DY-T1-E3概述

DUAL N CH/SCHOTTKY MOSFET, 30V SOIC; Transistor Polarity: N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id, N Channe...

Mosfet Array 2 N-Channel Half Bridge 30V 5.3A, 7.7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

DeviceMart:
MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC

SI4816DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 22.0 mΩ

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds 30 V

栅源击穿电压 20.0 V

连续漏极电流Ids 5.30 A

额定功率Max 1W, 1.25W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4816DY-T1-E3

型号： SI4816DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：DUAL N CH/SCHOTTKY MOSFET, 30V SOIC; Transistor Polarity: N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id, N Channe...

替代型号SI4816DY-T1-E3