2SB1181TLQ

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2SB1181TLQ概述

功率晶体管( ???? 80V ,Ⅰ ???? 1A) Power Transistor −80V, −1A

- 双极 BJT - 单 PNP 100MHz 表面贴装型 CPT3


得捷:
TRANS PNP 80V 1A CPT3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 1A


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin2+Tab CPT T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin2+Tab CPT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin2+Tab CPT T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin2+Tab CPT T/R


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT-428


Win Source:
TRANS PNP 80V 1A SOT-428


2SB1181TLQ中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 1 W

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V

最大电流放大倍数hFE 390

额定功率Max 10 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

2SB1181TLQ引脚图与封装图
2SB1181TLQ引脚图
2SB1181TLQ封装图
2SB1181TLQ封装焊盘图
在线购买2SB1181TLQ
型号: 2SB1181TLQ
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:功率晶体管( ???? 80V ,Ⅰ ???? 1A) Power Transistor −80V, −1A
替代型号2SB1181TLQ
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SB1181TLQ

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

2SB1181TLR

罗姆半导体

类似代替

2SB1181TLQ和2SB1181TLR的区别

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