功率晶体管( ???? 80V ,Ⅰ ???? 1A) Power Transistor â80V, â1A
- 双极 BJT - 单 PNP 100MHz 表面贴装型 CPT3
得捷:
TRANS PNP 80V 1A CPT3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 1A
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin2+Tab CPT T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin2+Tab CPT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin2+Tab CPT T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin2+Tab CPT T/R
DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT-428
Win Source:
TRANS PNP 80V 1A SOT-428
频率 100 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 1 W
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 10 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
2SB1181TLQ ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SB1181TLR 罗姆半导体 | 类似代替 | 2SB1181TLQ和2SB1181TLR的区别 |