2N5551RLRA参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N5551RLRA概述

放大器晶体管 Amplifier Transistors

Features

• Pb−Free Packages are Available

• Device Marking: Device Type, e.g., 2N5550, Date Code

得捷:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R

Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R

罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R

2N5551RLRA中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 160 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： 2N5551RLRA

描述：放大器晶体管 Amplifier Transistors

替代型号2N5551RLRA