2SA1020G参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SA1020G概述

一瓦高电流PNP晶体管电压和电流负PNP晶体管 One Watt High Current PNP Transistor VOLTAGE AND CURRENT ARE NEGATIVE FOR PNP TRANSISTORS

- 双极 BJT - 单 PNP 100MHz 通孔 TO-92（TO-226）

得捷:
TRANS PNP 50V 2A TO92

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 1W High Current PNP

Win Source:
TRANS PNP 50V 2A TO92 / Bipolar BJT Transistor PNP 50 V 2 A 100MHz 900 mW Through Hole TO-92 TO-226

2SA1020G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -2.00 A

极性 PNP

耗散功率 0.9 W

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 70 @500mA, 2V

额定功率Max 900 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.21 mm

宽度 4.19 mm

高度 7.87 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SA1020G

型号： 2SA1020G

描述：一瓦高电流PNP晶体管电压和电流负PNP晶体管 One Watt High Current PNP Transistor VOLTAGE AND CURRENT ARE NEGATIVE FOR PNP TRANSISTORS

替代型号2SA1020G