IXFX20N120参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFX20N120概述

IXYS SEMICONDUCTOR IXFX20N120 功率场效应管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 20 A, 1.2 kV, 750 mohm, 10 V, 4.5 V

通孔 N 通道 1200 V 20A（Tc） 780W（Tc） PLUS247™-3

得捷:
MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247-3

IXFX20N120中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 750 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 780 W

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 1.2 kV

连续漏极电流Ids 20.0 A

输入电容Ciss 7400pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

耗散功率Max 780W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

重量 6 g

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

数据手册

在线购买IXFX20N120

型号： IXFX20N120

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IXYS SEMICONDUCTOR IXFX20N120 功率场效应管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 20 A, 1.2 kV, 750 mohm, 10 V, 4.5 V

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