IXFP3N120

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IXFP3N120概述

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFP3N120  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 120 V, 4.5 ohm, 10 V, 5 V

N-Channel 1200V 3A Tc 200W Tc Through Hole TO-220AB


立创商城:
N沟道 1.2kV 3A


得捷:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB


e络盟:
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFP3N120  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 120 V, 4.5 ohm, 10 V, 5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin3+Tab TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin3+Tab TO-220


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Win Source:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB / N-Channel 1200 V 3A Tc 200W Tc Through Hole TO-220-3


IXFP3N120中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 4.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 120 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1050pF @25VVds

额定功率Max 200 W

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXFP3N120
型号: IXFP3N120
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFP3N120  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 120 V, 4.5 ohm, 10 V, 5 V
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