IRG8P40N120KDPBF

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IRG8P40N120KDPBF概述

IGBT 超过 21A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 SFM 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。

单 IGBT 超过 21A,

优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT


得捷:
IGBT 1200V 60A TO247AC


欧时:
### 单 IGBT 超过 21A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 SFM 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 305000mW 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 60A 3-Pin TO-247AC Tube


TME:
Transistor: IGBT; 1200V; 60A; 305W; TO247AC


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 305000mW 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube


IRG8P40N120KDPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 305 W

耗散功率 305000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 80 ns

额定功率Max 305 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 305 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 20.7 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRG8P40N120KDPBF
型号: IRG8P40N120KDPBF
描述:IGBT 超过 21A,Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT ### IGBT 晶体管,International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 SFM 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。

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