IGW03N120H2FKSA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IGW03N120H2FKSA1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT - 1200 V 9.6 A 62.5 W 通孔 PG-TO247-3-1

得捷:
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

IGW03N120H2FKSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 62500 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 62.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 62500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IGW03N120H2FKSA1

型号： IGW03N120H2FKSA1

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube