IKD15N60RAATMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IKD15N60RAATMA1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R

IGBT Trench 600V 30A 250W Surface Mount PG-TO252-3

得捷:
IGBT 600V 30A 250W TO252-3

艾睿:
Trench and Field Stop technology IGBT

IKD15N60RAATMA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 250000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 110 ns

额定功率Max 250 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IKD15N60RAATMA1

型号： IKD15N60RAATMA1

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R