IRF7580MTRPBF

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IRF7580MTRPBF概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 114 A, 60 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.7 V

表面贴装型 N 通道 60 V 114A(Tc) 115W(Tc) DirectFET™ Isometric ME


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IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW


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IRF7580MTRPBF


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MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet


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IRF7580M 系列 N沟道 60 V 2.9 mOhm 表面贴装 Directfet 功率 Mosfet - DIRECTFET


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 116A; 115W; DirectFET


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET


IRF7580MTRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 115 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.0029 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 96 W

阈值电压 3.7 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 114A

上升时间 38 ns

输入电容Ciss 6510pF @25VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 Direct-FET

外形尺寸

长度 6.35 mm

宽度 5.05 mm

高度 0.7 mm

封装 Direct-FET

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF7580MTRPBF
型号: IRF7580MTRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 114 A, 60 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.7 V

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