




晶体管, MOSFET, N沟道, 114 A, 60 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.7 V
表面贴装型 N 通道 60 V 114A(Tc) 115W(Tc) DirectFET™ Isometric ME
得捷:
IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
立创商城:
IRF7580MTRPBF
贸泽:
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 114 A, 60 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.7 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R
富昌:
IRF7580M 系列 N沟道 60 V 2.9 mOhm 表面贴装 Directfet 功率 Mosfet - DIRECTFET
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 116A; 115W; DirectFET
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET
额定功率 115 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.0029 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 96 W
阈值电压 3.7 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 114A
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 6510pF @25VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 10
封装 Direct-FET
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.7 mm
封装 Direct-FET
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free