2SD2459GSL NPN三极管 150V 1A 90MHz 170~340 110mV/0.11V SOT-89/SC-62 marking/标记 2ES 低频功率放大
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 150V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 150V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 90MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 170~340 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 110mV/0.11V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency power amplification Features High collector to emitter voltage VCEO. Large collector power dissipation PC. Mini Power type package and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing. 描述与应用| NPN硅外延平面型 对于低频功率放大 特点 高集电极发射极电压VCEO。 大集电极功耗PC。 迷你功率型封装,通过自动插入带包装盒包装。
封装 SOT-89
封装 SOT-89
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO 150V
集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO 150V
集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC 1A
截止频率fTTranstion FrequencyfT 90MHz
直流电流增益hFEDC Current GainhFE 170~340
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage 110mV/0.11V
耗散功率PcPower Dissipation 1W
规格书PDF __
RoHS标准 RoHS Compliant