SGF23N60UFDM1TU参数规格_中文资料_数据手册PDF

SGF23N60UFDM1TU概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 75000mW 3Pin3+Tab TO-3pF Rail

IGBT - 600 V 23 A 75 W 通孔 TO-3PF

得捷:
IGBT 600V 23A 75W TO3PF

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 75000mW 3-Pin3+Tab TO-3PF Rail

SGF23N60UFDM1TU中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 75000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 60 ns

额定功率Max 75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

高度 16.5 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SGF23N60UFDM1TU

型号： SGF23N60UFDM1TU

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 75000mW 3Pin3+Tab TO-3pF Rail