IXTA182N055T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTA182N055T概述

D2PAK N-CH 55V 182A

N-Channel 55V 182A Tc 360W Tc Surface Mount TO-263 IXTA

得捷:
MOSFET N-CH 55V 182A TO263

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 182A 3-Pin2+Tab D2PAK

IXTA182N055T中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 360W Tc

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 182A

输入电容Ciss 4850pF @25VVds

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA182N055T

型号： IXTA182N055T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：D2PAK N-CH 55V 182A

替代型号IXTA182N055T